Qualcomm’un yeni nesil amiral gemisi işlemcisi Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro’ya ait ilk fiziksel die görüntüsü sızdırıldı. Paylaşılan görseller, yonganın önceki nesle kıyasla belirgin biçimde daha geniş bir yüzey alanına sahip olduğunu ortaya koyuyor. Bu boyut farkının temel nedeni, geleneksel üst üste yığılmalı bellek mimarisinden vazgeçilerek DRAM’in yonganın yan tarafına yerleştirilmesi ve özel bir soğutma bloğuyla desteklenmesi. Bu yeni tasarım, hem CPU hem de GPU bileşenlerinin ısınmadan daha yüksek saat hızlarında sürekli çalışmasına olanak tanıyor. Ancak bu donanım değişikliği, akıllı telefon üreticileri için iç mekanik düzenlemeleri baştan planlama gerekliliği doğuruyor. Sızdırılan teknik detaylar, söz konusu modelin LPDDR5X bellek standardını destekleyeceğini de gösteriyor. Şirketin TSMC’nin yeni 2nm üretim sürecini kullanacağı bilgisi de verimlilik açısından olumlu beklentileri artırıyor.
Qualcomm'un Yeni Devamcısı: Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro Die Sızıntısı
Deniz Aksoy ·



