TSMC: 2030'da Yüksek-NA EUV Litografisine Geçiş Başlıyor

Dünyanın önde gelen yarı iletken döküm fabrikası TSMC, çip üretim süreçlerinde Yüksek Sayısal Açıklık (High-NA) EUV litografisini kullanmaya 2030 yılında başlayacağını duyurdu. Şirket, bu yeni nesil teknolojinin ilk aşamada A10 veya A11 olarak adlandırılan ileri düzey süreç düğümünde yer almasının beklendiğini açıkladı. Mevcut düşük NA EUV sistemlerine kıyasla, High-NA araçları tek pozlamada 8 nm’lik bir çözünürlük sunabiliyor; bu da transistör yoğunluğunu artırarak daha hızlı ve enerji verimli çiplerin üretimine olanak tanıyor. TSMC, 2030’da standart 6x6 inç fotomasklar ile seri üretime geçerek, 2031’de pilot hatlar kuracak ve 2033’e gelindiğinde daha verimli 6x12 inç maskelerin entegrasyonunu tamamlamayı hedefliyor. Bu geçiş, özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları gibi büyük ölçekli çiplerin üretim verimliliğini ve maliyet etkinliğini artırmayı amaçlıyor.